Vol. 51 (2015), Issue 2, p. 85-92

Тензосопротивление как источник информации о параметре анизотропии подвижности K = μ|| в многодолинных полупроводниках и некоторые новые возможности деформационной метрологии

Гайдар Г.П.

Abstract

УДК 621.315.592

 

В многодолинных слаболегированных полупроводниковых монокристаллах n‑Ge и n‑Si методом тензосопротивления исследована анизотропия подвижности основных носителей заряда при Т = 77,4К, и при указанных условиях получены значения параметра анизотропии подвижности: K = μ|| = 15,6 – в n‑Ge и K = 5,89 – в n‑Si.

 

Ключевые слова: кремний, германий, тензосопротивление, параметр анизотропии подвижности.

 

 

In the many‑valley weakly doped semiconductor single crystals n‑Ge and n‑Si the anisotropy of mobility of majority charge carriers at Т = 77.4K was investigated and under these conditions the values of the anisotropy parameter of mobility were obtained: K = μ|| = 15.6 – in n‑Ge and K = 5.89 – in n‑Si.

 

Keywords: silicon, germanium, tensoresistance, the anisotropy parameter of mobility.

 

 

Download full-text PDF. 712 downloads

Web-Design Web-Development SEO - eJoom Software. All rights reserved.