Vol. 52 (2016), Issue 3, p. 53-57

Фотовольтаические структуры ITO/SiOх/n-Si повышенной эффективности

Симашкевич А., Шербан Д., Караман М., Русу М., Брук Л., Курмей Н.

Abstract

УДК 621.315

 

Изготовлены структуры ITO/SiOх/n-Si пульверизацией растворов хлоридов индия и олова на поверхность (100) пластин кремния с удельным сопротивлением 4,5 Ом·см. Изучено влияние состояния поверхности Si на эффективность структур как фотоэлектрических преобразователей. Показано, что наиболее эффективными являются структуры с непротравленной поверхностью пластин кремния. Солнечные элементы на основе исследованных структур ITO/SiOх/n-Si c инверсным слоем демонстрируют в условиях АМ 1,5 эффективность, близкую к 16%.

 

Ключевые слова: солнечный элемент (СЭ), ITO, Si, гетеропереход, эффективность преобразования.

 

 

The ITO/SiOх/n-Si structures were fabricated by spraying of indium and tin chloride solutions on the surface of (100) silicon wafers with a resistivity of 4.5 Ω×cm. The influence of the Si surface condition on the effectiveness of structures such as photovoltaic cells was investigated. It is shown that structures with an untreated surface of silicon wafers are most efficient. Solar cells on the base of the studied ITO/SiOх/n-Si structures with an inversion layer demonstrate a conversion efficiency close to 16% in the conditions of AM 1.5.

 

Keywords: solar cell, ITO, Si, heterojunction, conversion efficiency.

 

 

Download full-text PDF. 108 downloads

Web-Design Web-Development SEO - eJoom Software. All rights reserved.