Vol. 53 (2017), Issue 2, p. 70-74

DOI: 10.5281/zenodo.1053306

Эффект Холла в германии, легированном разными примесями

Гайдар Г.П., Гайворонская Е.Ю.

Abstract

УДК 621.315.592

 

Исследовано влияние различных примесей на кинетику электронных процессов в монокристаллах n‑Ge(Sb). Установлено существенное снижение подвижности носителей заряда в области преимущественно примесного рассеяния (при 77ºК) в кристаллах n‑Ge(Sb+Si), а также в кристаллах германия с примесью редкоземельных элементов, и дано объяснение полученному эффекту.

 

Ключевые слова: германий, примеси, эффект Холла, коэффициент Холла, подвижность носителей заряда.

 

 

The effect of various impurities on the kinetics of electronic processes in n‑Ge(Sb) single crystals was investigated. In the crystals of n‑Ge(Sb+Si) and of germanium doped with the rare earth elements, the substantial decrease of the charge carrier mobility in the region of predominantly impurity scattering (at 77ºK) was established, and the explanation of this effect was given.

 

Keywords: germanium, impurities, Hall effect, Hall coefficient, charge carrier mobility.

 

 

Download full-text PDF. 293 downloads

Web-Design Web-Development SEO - eJoom Software. All rights reserved.