Vol. 37 (2001), Issue 1, p. 43-45

ELECTRICAL PROCESSES IN ENGINEERING AND CHEMISTRY

Повышение стабильности твердотельных структур при ионной бомбардировке

Достанко А.П., Баранов В.В., Ануфриев Л.П., Костюкевич А.А., Зеленков В.А.

Abstract

УДК 621.382.002

 

Рассмотрены факторы, влияющие на стабильность твердотельных структур, в том числе дозированная бомбардировка ионами инертного газа в сочетании с последующей термообработкой. Установлено, что в процессе ионной бомбардировки имеет место ионно-стимулированная диффузия кремния, при которой формируется стабильная граница раздела. Требуемые электрофизические свойства и стабильность диодов Шоттки на основе контактов Si/Мо можно обеспечить сочетанием ионной бомбардировки и изотермического отжига при умеренных температурах (до ~4500С) либо импульсного ИК отжига.

 

 

Some parameters, including bombardment by noble gas ions in conjunction with thermal treatment, that influent on solid-state structures stability have been discussed. The ion-stimulated diffusion of silicon was occurred during the ion bombardment and a stable interface was formed. The required electrical-physical properties and stability of Si/Мо Schottky diodes might be achieved by combining ion bombardment and isothermal annealing at temperatures up to ~ 450оС or infra red treatment.

 

 

Download full-text PDF. 93 downloads

Web-Design Web-Development SEO - eJoom Software. All rights reserved.