Vol. 44 (2008), Issue 1, p. 91-94

OPERATING EXPERIENCE

Скорость поверхностной генерации носителей заряда по границе раздела полупроводник-стекло

Власов С.И., Овсянников А.В.

Abstract

УДК 621.315.592.4.

 

Предложена методика определения временной зависимости скорости поверхностной генерации по границе раздела полупроводник-диэлектрик. Показано, что в структурах МДП, изготовленных на основе кремния n-типа проводимости, покрытого слоем свинцово-боро-силикатного стекла, скорость поверхностной генерации является функцией времени.

 

It is offered the method for determining of time-dependence of surface generation velocity on semiconductor-dielectric interface. It is shown that surface generation velocity is a time function in MDS-structures of n-Si covered by the lead-boron-silicate glass.  

 

Download full-text PDF. 849 downloads

Web-Design Web-Development SEO - eJoom Software. All rights reserved.