Vol. 44 (2008), Issue 4, p. 102-104

OPERATING EXPERIENCE

Плотность поверхностных состояний на границе раздела полупроводник-стекло

Насиров А.А.

Abstract

УДК 621.315.592

 

Предложена методика определения плотности поверхностных состояний на границе раздела полупроводник-свинцово-боросиликатное стекло МДП-структур. Показано, что метод дифференцирования C-V-зависимости является более точным и однозначным, а также менее трудоемким по сравнению с известными методами.

 

The method of determination of surface state density at semiconductor-glass interface of MIS-structure is offered.  It is shown, that the method of differentiation of C-V-dependence is more exact and unequivocal, and also less labour-intensive in comparison with known methods.

 

Download full-text PDF. 1162 downloads

Web-Design Web-Development SEO - eJoom Software. All rights reserved.