Vol. 47 (2011), Issue 5, p. 18-22


Эффект переключения на тонких пленках TlInSe2

Годжаев Э.М., Гюльмамедов К.Д., Халилова Х.С., Гулиева С.О.


УДК 537. 226: 621. 315


Изложены результаты исследования вольт-амперной характеристики тонких пленок TlInSe2 в статическом режиме в зависимости от длины и площади контакта. Выявлено, что на тонких пленках TlInSe2 наблюдается эффект переключения с памятью и для получения стабильного переключения необходимо, чтобы пороговый ток не превышал ток стабилизации состояния с неоднородным распределением тока по сечению.


The article deals with the results of research of current-voltage characteristic of TlInSe2 thin films in a static mode depending on the length and the area of the contact. It has been found out that the effect of switching with memory is observed on TlInSe2 thin films and that in order to get a stable switching it is necessary for the threshold current not to exceed the current of stabilization of a state with non-uniform current distribution over the cross-section.


Download full-text PDF. 1338 downloads

Web-Design Web-Development SEO - eJoom Software. All rights reserved.