Vol. 41 (2005), Issue 4, p. 7-10

ELECTRICAL PRECISION TREATMENT OF MATERIALS

The Photoelectrochemical Etching as a Tool for GaN Gas Sensor Fabrication

Popa V.Iu.

Abstract

УДК 621.315.592

 

Whisker and columnar structures of GaN were fabricated using  photoelectrochemical etching in KOH solution. The conductivity changes of the obtained structures to ethylic alcohol and hydrogen were studied. Optimized design for sensor fabrication is proposed..

 

 

С помощью метода фотоэлектрохимического травления в растворе KOH получены морфологии типа «усиков» и колоннообразные на GaN. Изучено изменение проводимости полученных структур к водороду и парам этилового спирта. Предложен оптимизированный дизайн для производства сенсоров.

 

 

Download full-text PDF. 993 downloads

Web-Design Web-Development SEO - eJoom Software. All rights reserved.