Отрицательное магнитосопротивление в сильнокомпенсированном кремнии

Бахадирханов М.К., Илиев Х.М., Аюпов К.С., Зикриллаев Х.Ф., Сатторов О.Э.

Аннотация

УДК 621.315.592

Приведены результаты исследований магниторезистивного эффекта в компенсированном кремнии, легированном марганцем. Обнаружено аномальное магнитосопротивление в образцах Si<B,Mn> р-типа. Изучена зависимость величины магнитосопротивления от степени компенсации образцов при комнатной температуре.

In this work is given results of researches on study of magneto-resistive effect in compensated silicon doped by manganese. In samples Si<B,Mn> p-type was revealed abnormal magneto-resistance. The dependence of magneto-resistance size on degree of compensation of samples was investigated at room temperature.

Скачать полнотекстовый PDF. 1266 скачиваний

Menu

Том 39 (2003), Номер 4, стр. 86-89

Отрицательное магнитосопротивление в сильнокомпенсированном кремнии

Аннотация