научный журнал
Электронная обработка материалов
ISSN 0013-5739 (Print) 2345-1718 (Online)

Том 41 (2005), Номер 4, стр. 84-88

ИЗ ОПЫТА РАБОТЫ

Особенности ИК-гашения фотопроводимости в кремнии, легированном марганцем

Аюпов К.С.


Аннотация

УДК 621.315.592

 

Приводятся экспериментальные результаты по исследованию инфракрасного гашения фотопроводимости  (ИКГ ФП) в сильно компенсированном кремнии. Показано, что ИКГ ФП в таких материалах имеет аномально большое значение, которое трудно объяснить при помощи существующих физических моделей. Предлагается физическая модель ИКГ ФП в таких сильно компенсированных материалах.

 

 

The present work contains the experimental results on the investigation of infra-red quenching of photoconductivity (IRQ PC) in strongly compensated Silicon. It has been shown that IRQ PC in such materials is characterized by anomalous high values, which is difficult to explain using the existing physical models. The physical model of IRQ PC in such materials is presented.

 

 

 
 

Скачать полнотекстовый PDF. 3139 скачиваний

Web-Design Web-Development SEO - eJoom Software. All rights reserved.