Vol. 38 (2002), Issue 6, p. 39-42

ELECTRICAL PROCESSES IN ENGINEERING AND CHEMISTRY

Характеристики процесса ионно-химического травления монокристаллического кремния плазмой комбинированного разряда

Бордусов С.В.

Abstract

УДК 621.382.002

 

Представлены результаты технологических испытаний разработанного и изготовленного разрядного устройства, предназначенного для плазменного травления материалов, используемых в технологии микроэлектроники. Особенностью организации процесса обработки является управляемое воздействие на поверхность материала химически активными частицами, создаваемыми в условиях комбинированного (СВЧ и НЧ поля) разряда. Результаты экспериментов показали высокие количественные и качественные характеристики процессов удаления материалов (в частности травления монокристаллического кремния), реализуемых в разработанном разрядном устройстве.

 

 

The results of technological tests of the designed and manufactured discharge device intended for a plasma etching of materials used in microelectronic fabrication are presented. The main feature of the process, realized in that device, is a controllable action on a material surface by chemically active particles, formed in a combined (microwave and low frequency fields) discharge. The experimental results demonstrated high quantitative and qualitative performances of processes of removing materials (in particular etching of monocrystalline silicon) in the designed discharge device.

 

 

Download full-text PDF. 91 downloads

Web-Design Web-Development SEO - eJoom Software. All rights reserved.