Vol. 36 (2000), Issue 1, p. 34-39

ELECTRICAL PROCESSES IN ENGINEERING AND CHEMISTRY

Особенности формирования элементов топологии субмикронных ИС на рельефе кремниевых пластин

Войтех С.Н., Колесник И.И., Русецкий А.М.


Abstract

УДК 621.3 049.77.001.2

 

Проекционная фотолитография остается одним из основных методов, используемых при производстве кремниевых интегральных схем с проектными нормами менее 1,0 мкм. Надежное получение и повышение качества структур наряду с улучшением разрешения требует детального анализа всех факторов, влияющих на процесс формирования топологического изображения, включая характеристики исходных кремниевых пластин. В настоящей работе рассматриваются особенности формирования изображения базовых элементов промежуточного шаблона установками проекционной печати ЭМ-5084Э, ЭМ-5384А с масштабом изображения 5:1 с последующей оптимизацией параметров процесса экспонирования, а также влияния неплоскостности исходных кремниевых пластин и рельефа структуры ИС на качество переноса изображения. В заключении даются рекомендации по требованиям к неплоскостности полупроводниковых пластин и величины рельефа для формирования качественного топологического изображения.

 

 

The work investigates the key suitability criteria for use of Specialized Technological Equipment (STE) in the process of Sub-Micron IC (SMIC) fabrication. Thorough investigation was made and general technical demands to design, fabrication and transportation and use of various types of (STE) for SMIC were stated.

 

 

 
 

Download full-text PDF. 55 downloads

Web-Design Web-Development SEO - eJoom Software. All rights reserved.